解决方案
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兼容4/6/8/10/12英寸晶圆测试;
常高温卡盘配置，具备常温~200℃温度测试能力 (低温需接入流量>480L/min的氮气，-40℃到 150℃升温时间26min);
晶圆调平功能，卡盘平整度<10um,视觉高度补偿;
建立图像识别模板和晶圆map图。
单光纤垂直耦合,标配8°光纤夹具，外加6°调节架;
采用进口标准仪表，单边光纤耦合<3s，heater扫描时间<2.5s，光谱扫描时间<1.5s;
重复性标准差<0.3dB;
开放型软件设置，兼容性强。
快速耦合，单边时间＜3s 一键测试 高度差视觉补偿
平均无故障时间( MTBF)长 重复性标准差＜0.3dB
高精度仪表 集成化测试 开放型配置
序号 | 项目 | 描述 |
1 | 适用于晶圆尺寸 | 4 / 6 / 8 / 10 / 12 英寸晶圆 |
2 | 上片方式 | 手动上片，真空多孔吸附 |
3 | 减震平台 | 气浮减震 |
4 | 温控范围 | 常温~200℃ |
5 | 卡盘总成 | X / Y / Z / θ 电动4轴调节，卡盘平整度：±10μm |
6 | 视觉系统 | X / Y / Z 电动3轴调节，0.6~7.2X连续可调放大，200W像素CMOS相机 |
7 | 工作环境 | 千级及以上洁净室，25℃±5℃，相对湿度40%~60% |
8 | 测试项目 | O-O，O-E，E-O，E-E |
9 | 可搭载探针座 | 光纤位移台，FA位移台，DC探针位移台，RF探针位移台 |
10 | 其它 | 支持自动对焦，自动建立Wafer Map，自动X/Y/Z卡盘位置补偿，单光纤垂直耦合，双光纤垂直耦合，FA光纤垂直耦合，FA角度校准，FA高度测量等 |
测试类型 | 测试项目 | 光源输出 | 光谱扫描 | 直流加电 | 射频输入 | 英文 | 符号 | 单位 | 指标定义 |
O-O (光-光测试） | 插入损耗 | √ | √ | Insert Loss | IL | dB | 光通过某一器件产生的功率损耗 | ||
峰值波长 | √ | √ | Peak Wavelength | λp | nm | 光谱中辐射强度最大的波长 | |||
中心波长 | √ | √ | Central Wavelength | λc | nm | 光谱强度最大值下降一半所对应的上升沿和下降沿最大宽度的中点对应的波长 | |||
偏振相关损耗 | √ | Polarization Dependent Loss | PDL | dB | 光信号的偏振态在全偏振态变化时，输出光功率的最大变化量。 | ||||
O-E (光-电测试） | 半波电压 | √ | √ | √ | half-wave voltage@heater | Pπ | V | (最大功率对应的电压-最小功率对应的电压）/2 | |
响应度（选件） | √ | √ | √ | Responsivity | R | A/W | 光电流与入射光功率之比 | ||
E-E (电-电测试） | 电阻@Heater | √ | Resistance | ΩH | ohm | Heater在指定温度下的阻值 | |||
电阻@Traveling Wave electrode | √ | Resistance | ΩT | ohm | 行波电极在指定温度下的阻值 | ||||
暗电流（选件） | √ | Dark current | Id | nA | 光电探测器(MPD)在没有光入射时，由于器件本身的原因导致的电流输出。 | ||||
E-O-E (电-光-电测试） | S参数测试 | √ | √ | √ | Scattering parameters | S11 S21 S12 S22 | dB | 表征光信号在器件中的传输和反射行为 |
